Die Funktionsweise von STT-MRAM und Toggle-MRAM

MRAM, eine Form von nichtflüchtigem Speicher, ermöglicht es, Daten auch bei Stromausfall zu speichern. Es gibt zwei Hauptvarianten: STT-MRAM (Spin-Transfer-Torque MRAM) und Toggle-MRAM.

Bei STT-MRAM wird die Richtung des Elektronenspins durch einen Stromimpuls umgekehrt, was zur Speicherung von Daten führt. Im Gegensatz dazu verwendet Toggle-MRAM eine magnetische Domänenwand, die zwischen zwei stabilen Zuständen hin und her schaltet, um Daten zu speichern.

Vergleich der Technologien und ihre Vor- und Nachteile

STT-MRAM:
Vorteile:
Geringerer Stromverbrauch
Schnelleres Schreib- und Lesezugriffszeit
Nachteile:
Potenzielle Störanfälligkeit bei hohen Temperaturen

Toggle-MRAM:
Vorteile:
Robuster bei hohen Temperaturen
Nachteile:
Langsamerer Schreib- und Lesezugriff im Vergleich zu STT-MRAM
Höherer Stromverbrauch

Strukturbreiten bei MRAM
MRAM kann in verschiedenen Strukturbreiten hergestellt werden, wobei die gängigsten 28nm und 22nm sind. Je kleiner die Strukturbreite, desto dichter können die Speicherzellen angeordnet werden, was zu einer höheren Speicherkapazität führt.

Die Vorteile des 16Mb MRAM von Netsol und Samsung:
Ein kürzlich veröffentlichtes Paper von Netsol und Samsung präsentiert einen 16Mb MRAM, der bei einer beeindruckenden Strukturbreite von 28nm gefertigt wurde. Dieser MRAM bietet eine einzigartige Kombination aus hoher Speicherdichte und Effizienz. Die Vorteile umfassen:

Niedrigerer Stromverbrauch im Vergleich zu herkömmlichen RAM-Typen
Schnellere Zugriffszeiten für verbesserte Leistung
Hohe Zuverlässigkeit und Robustheit auch unter extremen Bedingungen

NETSOL und SAMSUNG ?
Doch wie kann Netsol ein solches MRAM Know-How ansammeln …. ganz einfach. Sie sind eine Ausgründung von Samsung und können somit sowohl auf die Samsung IP als auch auf ehemalige Samsung Mitarbeiter zurückgreifen.